制备了结构为铟锡氧化物(ITO)/NPB/插入层/Alq/LiF/Al的有机电致发光(EL)器件, 测量了器件发光随电压变化的光谱和电压-电流-亮度特性, 观察到这种结构器件在电压升高的过程中总是在某电压附近有一个光谱、亮度和效率等性能突变的不可逆过程, 这是由于在发光区域附近的纳米薄层材料将导致电荷在该区域的局部聚集, 并引起该薄层材料局部破坏。这一失效的机制表明, 尽管在器件制备过程中可能需要在器件中使用几纳米厚的有机层, 但是应当考虑尽量避免, 以使器件内载流子分布合理, 避免此类失效过程发生。

基于实验和理论模拟研究了12～320 K温度范围内八羟基喹啉铝[tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum,Alq]和一种高效红光染料甲基2叔丁基6(1,1,7,7四甲基久咯呢定基9烯基)4H1吡喃[4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran,DCJTB]的光致发光(photoluminescence,PL)随温度的变化,提出三种不同电荷分离程度的激子参与的Alq的稳态光致发光过程,通过拟合参量得到了三种激子的能量差值和辐射复合几率之比,观察并解释了DCJTB发光光谱从200 K以下到室温的升温过程中发生的蓝移。认为变温光致发光有可能用于评估材料的发光和导电性能,比较并讨论了有机和无机发光材料激子发光的温度特性,认为低温下小分子发光材料倾向于分子态,随温度升高逐渐向半导体态转变,Alq在150～190K之间开始发生这种转变,而DCJTB则从300～320 K开始。