介绍了新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的工作原理和特性，总结了基于半导体开关器件的脉冲源的发展现状及应用。基于DSRD的等效模型，建立了其正反向泵浦电路的仿真模型，按照输出电压参数的要求，对主储能电感、初级储能电感的取值进行了仿真计算分析，并得到了主回路各元件参数的最优值。通过仿真分析了MOSFET漏源端寄生电容与限压并联电容对输出参数的影响，得到了限压并联电容最优值为0.2 nF，通过计算与仿真得到隔直电容的最优值为100 pF。研制了一款可连续输出的脉冲功率源，其重复频率为1 MHz，脉冲前沿等于680 ps(20%~90%)，电压幅值2 kV，半高宽1.5 ns。

为了能够形成稳定的多通道放电,研制了一种等离子体喷射触发气体开关。在触发电极的内部嵌入多个微型激励腔以形成多通道等离子体喷射,从而在主间隙中诱导多通道放电。研究了触发电路连接方式、触发能量和极性对多通道等离子体喷射的影响,比较了开关在两种工作模式下各间隙放电通道数量随工作系数的变化规律。实验结果表明：采用触发电路II连接方式,触发电极的多通道放电效果更好；高触发能量、负极性和低气压条件有利于形成多通道等离子体喷射；当开关运行在工作模式Ⅱ,且在较高工作系数时,具有更好的多通道放电特性。

为了提高气体开关的同步性,降低自放电概率和抖动,提出并设计了一种新型等离子体喷射触发气体开关。开关整体结构与传统的三电极场畸变开关相似,最大特点是在触发电极内部嵌入一个微型激励腔,用于产生等离子体喷射。研究了触发电压和气压对等离子体的喷射特性的影响,对比场畸变和等离子体喷射两种触发方式下开关触发特性的差异,并研究触发电压对开关性能的影响。实验结果表明: 等离子体喷射高度随触发电压的升高而增加,随气压的升高而降低; 采用等离子体喷射触发能够显著降低过压间隙的延时和抖动; 提高触发电压不但降低开关的抖动,而且还扩展开关稳定触发的工作范围; 当触发电压80 kV,工作系数27.4%,开关仍然能够可靠触发,延时和抖动分别为97.1 ns和3.5 ns。