1 中国科学技术大学 微纳电子系统集成研究中心, 合肥 230026
2 中国科学院 微电子研究所,北京 100029
3 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室, 北京 100029
设计了一种基于0.25 μm GaAs p-HEMT工艺的低插损6位数字衰减器。采用Pi型衰减结构与T型衰减结构级联的方式,实现低插入损耗和高衰减精度。采用相移补偿电路减小附加相移,采用幅度补偿电路提高衰减精度。仿真结果表明,在7~13 GHz范围内,该数字衰减器的RMS幅度误差小于0.5 dB,插入损耗小于5.6 dB,10 GHz时1 dB压缩点的输入功率约为29 dBm,附加相移为-7°~+6.5°,输入输出回波损耗小于-11 dB。芯片尺寸为2.50 mm×0.63 mm。
数字衰减器 低插入损耗 级联结构 补偿电路 digital attenuator low insertion loss cascade structure compensation circuit
采用小波反射理论分析Klopfenstein结构的鳍状天线阵的传播特性,设计优化出应用于空间功率合成模块的输入输出鳍状天线阵.优化后的鳍状天线阵不仅表现出宽频带特性而且还有比较好的回波特性,可以有效地提高功率合成模块的效率.2*2鳍线阵在端接120Ω负载时的实测结果为:在C波段(3～4.9GHz)内回波损耗大于20dB,驻波比小于1.25.本文是国内第一篇详细介绍鳍状天线阵的设计和优化的文章,该项研究填补了我国在相关领域中的研究空白.
空间功率合成模块 Klopfenstein结构 鳍线阵
