1 中国科学院大学 微电子学院, 北京 100029
2 中国科学院 微电子研究所, 北京 100029
3 淄博美林电子有限公司, 山东 淄博 255000
利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件，研究分析了三种不同结构的槽栅型1 200 V SiC MOSFET单粒子响应特性，器件包括传统单沟槽MOSFET、双沟槽MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构。仿真结果表明，双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件。通过分析可知，双沟槽MOSFET结构的优越性在于有较深的源极深槽结构，有助于快速收集单粒子碰撞过程产生的载流子，从而缓解大量载流子聚集带来的内部电热集中，相比其它两种结构能有效抑制引起单粒子烧毁的反馈机制。
碳化硅场效应晶体管 单粒子效应 槽栅型结构 电热反馈 SiC MOSFET single event burnout trench gate structure electrothermal feedback
1 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
2 上海科技大学光纤技术研究所, 上海 201800
3 上海科技大学光纤技术研究所, 上海 201800
报道激光二极管泵浦的掺钕氟磷酸钙固体激光器。该器件在重复频率为100 Hz的准连续状态下运行,当耦合输出透过率为8％时,得到31％的斜效率。比较了FAP和YAG这两种介质的激光器的性能,理论分析得出的两者的阈值泵浦功率的相对值与实验结果相一致,并证实FAP是一种很有前途的适合激光二极管泵浦的激光介质。
激光二极管泵浦 固体激光器 晶体的光谱特性
