辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(6): 060703
中国原子能科学研究院 国家原子能机构抗辐照应用技术创新中心北京 102413
空间环境中存在大量的高能粒子，单个高能粒子穿过航天器壳体轰击到电子器件，引发器件逻辑状态翻转、功能异常等单粒子效应，进而影响航天器的可靠运行和任务达成。基于地面加速器辐照试验模拟空间单粒子效应是评估电子器件在空间应用时发生单粒子错误风险的重要手段，只有其抗单粒子效应的指标符合宇航应用要求的器件才能在航天器中使用。航天器面临的空间辐射粒子主要是重离子和质子，它们诱发的单粒子效应也最为显著。开展宇航器件单粒子效应地面模拟试验主要依托重离子加速器和质子加速器，为满足单粒子试验需求，需要研发大面积束流扩束及均匀化、高精度束流快速诊断等技术，以及满足大批量试验任务需求的高效试验终端，重点介绍中国原子能科学研究院的基于加速器的重离子单粒子效应模拟试验技术、质子单粒子效应模拟试验技术和用于器件辐射损伤敏感区识别的重离子微束技术，以及上述技术在宇航器件单粒子效应风险评估中的应用。
空间辐射 单粒子效应 模拟试验 Space radiation Single event effects Simulation test
1 广东工贸职业技术学院机电工程学院, 广东 广州 510550
2 广东工业大学, 广东 广州 510006
针对芯片实验室对浓度梯度产生器（CGG）的需求, 为制作侧壁垂直的CGG, 提出了一种移动焦平面正反面曝光制备SU-8光刻胶微结构的方法。该方法根据焦深将SU-8厚度分成多层, 每曝光一次焦面向下移动一层, 当曝光层数达到总层数一半时将样品翻转, 同样采用移动焦面重复曝光的方式使SU-8内部形成光化学反应通道, 得到充分曝光。最终利用SU-8微结构制作出聚二甲基硅氧烷 (PDMS) CGG。测试结果表明：SU-8微结构实际轮廓侧壁垂直, 没有出现 “T” 形结构, 沟道高度为49.4 μm；PDMS CGG侧壁垂直, 沟道深度为49.3 μm, 满足CGG侧壁垂直要求。
光电子学 浓度梯度产生器 焦面移动正反面曝光 SU-8 聚二甲基硅氧烷 optoelectronics concentration gradient generator focal-plane moving front and back exposure SU-8 polydimethylsiloxane
1 中国原子能科学研究院 核物理研究所, 北京 102413
2 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心, 北京 102413
对国际上用于单粒子效应(SEE)研究的准单能中子源进行了相关调研, 对产生准单能中子源的7Li(p, n)7Be核反应、装置布局以及表征中子场性质的中子注量率、中子能谱、中子束流轮廓及其均匀性、热中子本底等参数的理论计算及实验测量进行了系统的介绍。进行准单能中子SEE实验要求中子源有较高的中子注量率水平、较大的束流轮廓、较好的束流均匀性以及较低的热中子本底, 并且能测量出精确的中子能谱。对准单能中子SEE实验过程以及三种中子SEE截面的尾部修正方法进行了介绍。
准单能中子源 中子注量率 中子能谱 中子束流轮廓 单粒子效应 尾部修正 quasi-monoenergetic neutron source neutron flux neutron energy spectrum neutron beam profile single event effect tail correction method 强激光与粒子束
2019, 31(2): 020201
1 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 海南师范大学 物理与电子工程学院, 海南 海口 571158
由于1.55 μm波段广泛应用于通信领域, 为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响, 并且实现自组装InN量子点在1.55 μm通信波段的发光, 对InN量子点的液滴外延及物性进行了相关研究。首先利用射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术在GaN模板上, 采用液滴外延方法在3种温度下生长了InN量子点结构。生长过程中靠反射高能电子衍射(RHEED)对样品进行原位监控。原子力显微镜(AFM)表征结果表明随着生长温度升高, 量子点尺寸变大, 密度减小。在生长温度350 ℃和400 ℃下, 观测到了量子点; 当温度高于450 ℃时, 未观测到InN量子点。当生长温度为400 ℃时, 量子点形貌最好, 密度为6×108/cm2,对400 ℃下生长的InN量子点进行了变温PL测试, 成功得到InN量子点在1.55 μm波段附近的光致发光, 并且随着测试温度的升高, 量子点的发光峰位发生了先红移后蓝移最后又红移的S型曲线变化, 这种量子点有望在未来应用于量子通信领域。
氮化铟 量子点 分子束外延 液滴外延 InN quantum dot(QD) molecular beam epitaxy(MBE) droplet epitary(DE)
