采用先驱体浸渍裂解工艺制备无界面、SiC、PyC和PyC/SiC等界面相SiC/SiC复合材料, 研究了SiC/SiC复合材料的微观结构及静态力学性能, 并通过强迫振动法系统分析了界面相对复合材料内耗行为的影响。研究结果表明, 引入界面相有效改善了复合材料的微观结构及力学性能, 并降低了复合材料的内耗。其中, PyC/SiC复相界面中亚层SiC限制了PyC界面相与纤维的结合及塑性形变, 提高了复合材料的力学性能; 同时, 界面相对SiC/SiC复合材料内耗行为有显著影响, 材料内耗水平与界面剪切强度成反比。对比50和350 ℃时的材料内耗变化率发现, 随界面剪切强度增大, 材料内耗呈降低的趋势, 且含有PyC的PyC/SiC界面复合材料具有较低的内耗变化率, 说明PyC/SiC复相界面的SiC/SiC复合材料更适于高温振动环境。

采用等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD)通过改变NH3流量制备出不同含氮量N型富硅氮化硅硅薄膜。 利用Raman散射、 红外吸收、 紫外-可见光分光光度计及暗态I-V测量等技术分析了氮掺入对薄膜微观结构以及光电特性的影响。 结果显示, 随着NH3的增加, 薄膜由微晶硅向纳米硅结构转变, 薄膜中晶粒尺寸减少, 晶化度降低, 微观结构有序性降低, 所对应薄膜光学带隙增大, 而带尾分布变窄。 同时, 红外吸收谱分析表明, Si—N键合密度增加, P掺杂受阻。 暗态I-V测量显示, 薄膜电导率随着NH3掺入整体较微晶硅降低, 但随NH3增加, 电导率受到迁移率和载流子浓度等特征共同作用先降低后变大, 揭示了影响薄膜电导率的机制存在一定的竞争, 然而过高的非晶网络结构将增大载流子的复合导致薄膜电导率显著降低。

由于光学薄膜的透射光谱和反射光谱受表面粗糙程度的影响很大，因此在确定表面粗糙薄膜的厚度及光学常量时，如果不考虑这种影响必然会引起较大的误差。利用标量波散射理论，引入表面均方根粗糙系数，对粗糙薄膜表面的光散射进行了细致分析，得出了光散射影响下薄膜系统透射系数的表达式。在此基础上计算的薄膜厚度以及透射光谱与制备的氢化非晶硅薄膜的相应测量结果基本一致，由此确定的光学常量也更接近实际量值。该方法的运算过程不基于最小值优化算法，无需复杂软件辅助，是准确确定表面粗糙薄膜的厚度以及光学常量的一种有效方法。