魏佳男 1,2刘虎林 2陈萍 2,3,*李阳 4[ ... ]赵卫 2,3
作者单位
摘要
1 中国科学院大学,北京 100049
2 中国科学院西安光学精密机械研究所 超快诊断技术重点实验室,西安 710119
3 山西大学 极端光学协同创新中心,太原 030006
4 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安 710024
5 装备发展部某中心,北京 100034
结合理论分析与实验测试,研究了在可见光脉冲输入条件下频率以及第二片微通道板与阳极之间电势差对微通道板光电倍增管动态范围的影响。研究结果表明:随着信号光脉冲频率的增大,微通道板壁面电荷补充不充分致使阳极输出偏离线性,并逐渐趋于饱和。当输入可见光脉冲宽度为50 ns,频率为500 Hz时,阳极的最大线性输出达到2 V(即40 mA);当输入光频率增加到1 000 Hz,阳极输出在1 V(即20 mA)时线性偏离程度达到10%以上;当输入光频率增加到5 000 Hz,阳极输出在0.3 V(即6 mA)时线性偏离程度达到约15%。随着第二片微通道板与阳极之间电势差的增大,阳极最大线性输出电压呈现波动性变化而非与其呈线性关系。当第二片微通道板与阳极之间的电势差在200 V左右时,阳极线性输出电压达到峰值,随着电势差不断增大,阳极线性输出电压开始出现波动,在电势差为500 V左右时达到第二个峰值,这主要是由于极板间电场强度与空间电荷效应共同作用的结果。该研究可为提升微通道板光电倍增管的动态范围提供指导,便于其应用于强辐射脉冲测量、激光通信等领域。
微通道板型光电倍增管 动态范围 输入光脉冲频率 微通道板-阳极电压 线性偏离 Microchannel plate photomultiplier tube Dynamic range Input light pulse frequency Microchannel plate-anode voltage Linear deviation 
光子学报
2024, 53(2): 0204001
作者单位
摘要
1 军委装备发展部, 北京 100034
2 中国人民解放军 海军八O七厂, 北京 102401
3 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
4 中国电子科技集团公司 第二十九研究所, 成都 610072
开展了Nb∶SrTiO3阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究。结果表明,Nb∶SrTiO3阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性,高、低阻态未发生逻辑混乱。1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐射较为敏感,在栅氧化层中辐射感生氧化物陷阱电荷的作用下,NMOS器件阈值电压逐渐向负方向漂移,泄漏电流逐渐增加,进一步导致关态条件下(VG=0 V)对阻变存储单元的错误读写。通过选用抗辐射加固NMOS选通晶体管,可显著提升1T1R复合结构的抗总剂量能力。
Nb∶SrTiO3阻变单元 总剂量效应 X射线辐射 Nb∶SrTiO3 resistive switching cell total ionizing dose effect 1T1R 1T1R X-ray irradiation 
微电子学
2022, 52(6): 1033
作者单位
摘要
1 西安交通大学核科学与技术学院,陕西西安 710049
2 西北核技术研究院,陕西西安 710024
3 西安电子科技大学空间科学与技术学院,陕西西安 710126
4 模拟集成电路国家重点实验室,重庆 400060
5 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管 (SiGe HBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200 ℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGe HBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了 SiGe HBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺 SiGe HBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGe HBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产 SiGe HBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。
锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应 SiGe heterojunction bipolar transistors Single Event Effects Total Ionizing Dose effect Enhanced Low Dose Rate Sensitivity synergistic effect of total ionizing dose and sing synergistic effects of ionizing dose and displacem 
太赫兹科学与电子信息学报
2022, 20(6): 523

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