为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能，使用40万Ci级的60Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照，累积辐照剂量最大为1 MGy(Si)，并在辐照后对4H-SiC的性能进行了测试。随着累积辐照剂量增加，4H-SiC探测器的正向电流增大，而反向电流恰好相反；根据4H-SiC探测器的正向I-V曲线可提取理想因子和肖特基势垒，理想因子从1.87增加到2.18，肖特基势垒从1.93 V减小至1.69 V；4H-SiC探测器对241Am源产生的α粒子进行探测时，探测器的电荷收集率从95.65%退化到93.55%，测得能谱的能量分辨率由1.81%退化到2.32%。4H-SiC探测器在受到1 MGy(Si)的γ辐照后，与未受到辐照时相比，在探测能量为5.486 MeV的α粒子时能量分辨率和电荷收集率仅退化了28.18%和2.2%，仍具备优良的探测性能。