1 微光夜视技术重点实验室，陕西西安 710065
2 昆明物理研究所，云南昆明 650223
AlGaN是一种宽带半导体材料，随着材料中 Al含量的不同，其禁带宽度有所不同，可以实现从 3.4～6.2 eV。基于外光电效应原理，用 AlGaN制成的光阴极因 Al含量的不同，其长波阈值也有所不同。本文对 5条 AlGaN光阴极光谱曲线，采用数值计算的方法，从背景噪声、有效信号、光谱信噪比等方面进行对比分析，并通过以上参数对日盲紫外探测器特性进行评价。经研究发现，可以通过光谱响应曲线对探测器日盲特性进行评价。光谱信噪比越好，则日盲探测器性能越好。这为用户提供了一种评价探测器日盲特性的方法。
AlGaN光阴极 光谱响应 日盲 AlGaN photocathode, spectral response, solar-blind
