作者单位
摘要
1 人工微结构与介观物理国家重点实验室, 北京大学物理学院, 北京 100871
2 中国科学院高能物理研究所, 北京 100039
3 北京大学现代光学研究所, 北京 100871
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构, 并分别制作了脊形波导GaN基激光器。 同步辐射X射线衍射, 电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明, 相对于GaN垒材料, InGaN垒材料, AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量, 提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。 相关的机制为: 组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加, 阱区收集载流子的能力增强; In的掺入能更多地补偿应力, 减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度; In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场, 电子空穴波函数空间交叠得以加强, 使得辐射复合增加。
GaN基激光器 多量子阱(MQWs) 垒材料 GaN-based LD Multi-quantum-well (MQW) AlInGaN AlInGaN Barrier material 
光谱学与光谱分析
2009, 29(6): 1441

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