1 西安工业大学 光电工程学院，陕西 西安 710021
2 西安应用光学研究所，陕西 西安 710065
3 微光夜视技术重点实验室，陕西 西安 710065
微通道板(Microchannel Plate，MCP)是像增强器中实现电子倍增的关键器件。以硅为基体制备的微通道板相对于传统的微通道板在性能方面有很大的提高。在对硅进行反应离子深刻蚀(DRIE)前，需要对充当掩蔽层的金属铝膜进行湿法腐蚀。对于掩模图形为孔径10 μm、孔间距5 μm的大面阵的微孔阵列，在腐蚀过程中，微孔孔径较小导致溶液对流困难且反应生成物H2极易吸附在反应界面上，影响反应物质的输送和化学反应的进行。如果腐蚀参数不合适，阵列式微孔图形会出现随机腐蚀、不完全腐蚀、过腐蚀等现象。通过加入表面活性剂，减小溶液中表面应力，可以促使反应物H2排出。同时通过逐一控制变量，研究了腐蚀液浓度、腐蚀液温度和腐蚀时间对腐蚀结果的影响。结果表明，腐蚀速率与腐蚀液浓度、腐蚀液温度成正比。通过参数优化，得到了最佳的腐蚀参数。此时图形完整，尺寸准确，解决了微孔阵列的图形化问题。
Al膜湿法腐蚀 微孔阵列图形 腐蚀浓度 温度 腐蚀时间 wet etching aluminum periodic micropore array corrosive concentration temperature etching time 红外与激光工程
2015, 44(10): 3055
1 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心，四川 绵阳 621900
2 四川大学 物理系 辐射物理及技术教育部重点实验室，成都 610064
采用直流磁控溅射方法成功地制备了Al膜，研究了退火温度对Al膜表面形貌、晶体结构、应力、择优取向及反射率的影响。研究表明：不同退火温度的薄膜晶粒排布致密而光滑，均方根粗糙度小。XRD测试表明：不同温度退火的铝膜均成多晶状态，晶体结构为面心立方，退火温度升高到400℃时，Al膜的应力最小达0．78GPa，薄膜平均晶粒尺寸由18．3 nm增加到25．9 nm；随着退火温度的升高，(200)晶面择优取向特性变好。薄膜紫外－红外反射率随着退火温度的升高而增大。
Al膜 退火温度 应力 择优取向 反射率 Al films Annealing temperature Stress Preferred orientation Reflectance ratio
1 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海201800
2 常熟理工学院江苏新型功能材料实验室, 江苏 常熟 215500
概述了真空紫外(VUV)波段光学薄膜及薄膜材料的研究进展,金属Al膜因到短至80nm还能提供较高的反射率而得到普遍关注,在高真空和30 nm/s左右沉积速率下沉积了保护层的金属Al膜在157 nm处反射率可达90％。介质氧化物薄膜机械应力小,环境稳定性比氟化物薄膜好,在190 nm以上波段应用较广泛,但在180 nm以下波段吸收大大增加而应由氟化物薄膜取代。氟化物薄膜带宽大、吸收系数小,沉积了致密SiO2保护层的氟化物高反膜,在中心波长180 nm处可得到接近 99％的反射率,而且膜系的稳定性和抗激光损伤也大大提高。氟化物减反膜在157 nm处可得到0.1％以下的反射率;到目前为止氟化物薄膜最好的沉积工艺是电阻热蒸发。
真空紫外 金属Al膜 氧化物 氟化物
本文研究线状聚焦激光打靶时的离子发射特性.与点状聚焦时相比,线聚焦情况下离子发射的各向异性更为突出.当入射角α=22°时,离子信号明显比α=45°时所发射的信号大.这主要是共振吸收的结果.
线聚焦 离子 Al膜
