张颖 1,2徐忠峰 2王兴 2任洁茹 2[ ... ]张小安 1,3,*
作者单位
摘要
1 咸阳师范学院离子束与光物理实验室,陕西 咸阳 712000
2 西安交通大学物理学院,陕西 西安 710049
3 中国科学院近代物理研究所,甘肃 兰州 730000
用动能为1360 keV的129Xeq+q=17,20,23,25,27)高电荷态离子分别入射到金属Al和Ti固体靶表面,测量高电荷离子与表面相互作用过程中离子俘获表面电子完成中性化所形成的激发态Xe原子和低电离态Xe离子退激辐射的近红外光谱线(800~1700 nm),以及靶原子被离化激发、退激辐射的光谱线。实验结果表明:高电荷态离子入射金属表面的过程中,携带的势能在飞秒量级的时间内沉积到靶表面,使靶原子离化激发,较强的库仑势能可使靶原子形成高离化态和复杂的电子组态、退激辐射光谱线。随着入射离子的电荷态增加,测量谱线的强度增大,该变化趋势与入射离子的势能随电荷增加的变化趋势大体一致,说明经典过垒模型在近玻尔速度能区是成立的。
原子与分子物理学 高电荷态离子 经典过垒模型 禁戒跃迁 近红外光谱 
光学学报
2024, 44(7): 0702001
作者单位
摘要
1 电子科技大学光电科学与工程学院,四川 成都 611731
2 济宁科力光电产业有限责任公司,山东 济宁 272113
从非连续介质波导构造的光子双势垒模型出发,建立了光子的双势垒量子贯穿理论,给出了光子穿透双势垒的量子概率公式。同时从解析和数值仿真两个角度分别讨论了行波光子和隐失波光子产生共振穿透效应所需的物理条件,研究了光子穿透概率与双势垒的几何尺寸、波导填充介质的折射率以及光子频率之间的依赖关系。比较不同物理条件下的仿真曲线,概括其物理规律。尤为重要的是,当双势垒由截止波导构成时,频率或双势垒结构参数发生细微变化会对光子穿透概率产生极大的影响。基于这些物理规律,初步探讨了光子的量子共振隧穿效应在一些光学器件设计中的潜在应用,重点研究了其在激光测距技术中的原理设计。
量子光学 电磁波导 量子隧穿 光子双势垒 共振穿透 激光测距 
光学学报
2024, 44(8): 0827001
Author Affiliations
Abstract
1 Research and Education Centre “Microsystem Technics and Multisensory Monitoring Systems”, Southern Federal University, Russia
2 Department of Chemistry, Southern Federal University, Russia
3 Department of Physics, North-Ossetian State University, 362025 Vladikavkaz, Russia
4 Department of Physics and Engineering, ITMO University, 191002 Petersburg, Russia
Thin nanocomposite films based on tin dioxide with a low content of zinc oxide (0.5–5mol.%) were obtained by the sol–gel method. The synthesized films are 300–600nm thick and contains pore sizes of 19–29nm. The resulting ZnO–SnO2 films were comprehensively studied by atomic force and Kelvin probe force microscopy, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy spectra. The photoconductivity parameters on exposure to light with a wavelength of 470nm were also studied. The study of the photosensitivity kinetics of ZnO–SnO2 films showed that the film with the Zn:Sn ratio equal to 0.5:99.5 has the minimum value of the charge carrier generation time constant. Measurements of the activation energy of the conductivity, potential barrier, and surface potential of ZnO–SnO2 films showed that these parameters have maxima at ZnO concentrations of 0.5mol.% and 1mol.%. Films with 1mol.% ZnO exhibit high response values when exposed to 5–50ppm of nitrogen dioxide at operating temperatures of 200C and 250C.
Sol–gel method, ZnO–SnO2 films gas-sensitive properties surface potential potential barrier conduction activation energy 
Journal of Advanced Dielectrics
2024, 14(1): 2245002
作者单位
摘要
1 上海理工大学 机械工程学院,上海 200093
2 上海健康医学院 上海市分子影像学重点实验室,上海 201318
介质阻挡放电 (DBD) 在工业中得到广泛应用,但效率限制了它的进一步应用。提出了一种DBD结构和针板结构相结合的三电极结构。将正极性脉冲电源施加在DBD电极上,负极性脉冲电源施加到针板电极上。分析了不同结构下三电极DBD的放电特性、现象和光谱强度。结果表明,三电极结构更加有利于DBD放电通道的产生,其放电均匀性、发光强度均强于双电极DBD,特别是在丝网接地电极条件下,放电更加强烈。当三种电极结构正极性电压维持在11 kV,负极性电压为−5 kV时,丝网接地三电极中DBD的放电电流峰值达到1.54 A,而实心接地三电极和传统双电极中DBD的放电电流峰值为1.14 A和0.74 A。在负极性脉冲维持期间,针网间隙处于击穿状态,DBD放电出现很大的放电电流。在三电极结构中,随着施加在针板上负极性电压的升高也使三电极DBD放电更加强烈。不同结构下的DBD的放电光谱表明在丝网接地时三电极DBD激发粒子的光谱强度最强。这一趋势与DBD放电电流和功率一致。
介质阻挡放电 三电极结构 放电特性 发射光谱 dielectric barrier discharge three electrode structure discharge characteristics emission spectrum 
强激光与粒子束
2024, 36(2): 025008
Qiushuang Chen 1,2Li Chen 1,2,*Cong Chen 1,2Ge Gao 1[ ... ]Jichun Ye 1,2,**
Author Affiliations
Abstract
1 Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Ningbo 315201, China
2 University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
AlGaN-based light-emitting diodes (LEDs) on offcut substrates enhance radiative emission via forming carrier localization centers in multiple quantum wells (MQWs). This study introduces the carrier transport barrier concept, accessing its impact on the quantum efficiency of LEDs grown on different offcut sapphire substrates. A significantly enhanced internal quantum efficiency (IQE) of 83.1% is obtained from MQWs on the 1° offcut sapphire, almost twice that of the controlled 0.2° offcut sample. Yet, 1° offcut LEDs have higher turn-on voltage and weaker electroluminescence than 0.2° ones. Theoretical calculations demonstrate the existence of a potential barrier on the current path around the step-induced Ga-rich stripes. Ga-rich stripes reduce the turn-on voltage but restrict sufficient driving current, impacting LED performance.
carrier localization step-bunching potential barrier offcut substrate DUV LEDs 
Chinese Optics Letters
2024, 22(2): 022501
作者单位
摘要
1 中铁第五勘察设计院集团有限公司,北京02600
2 南京大学 现代工程与应用科学学院,南京1003
3 南京法艾博光电科技有限公司,南京21115
4 德克萨斯州立大学 工学院,圣马科斯78666,美国
提出了一种基于K近邻(K‑nearest neighbors,KNN)算法和相位敏感光时域反射(Phase‑sensitive optical time domain reflectometry,φ‑OTDR)系统的高铁声屏障故障识别方法。设计了V字型光缆敷设方式,能够感知声屏障不同高度吸声板在脉动力冲击下的振动,并利用φ‑OTDR系统采集振动信号。对振动信号进行多域特征提取以及K近邻分类后,可以实现对声屏障故障状态识别。实验结果表明,在复杂场景下对于故障点的识别正确率达到了90.9%。该方法为声屏障故障识别提供了一条可行的技术路线,能够减少对专业人员的依赖,对于提升高铁声屏障智能运维水平具有重要意义。
相位敏感光时域反射 声屏障 多域特征提取 K近邻 phase‑sensitive optical time domain reflectometry(φ‑OTDR) noise barrier multi‑domain feature extraction K‑nearest neighbors (KNN) 
光电子技术
2023, 43(3): 261
作者单位
摘要
福州大学 物理与信息工程学院,福州350108
利用n型有机半导体材料N2200掺杂在p型有机半导体材料PDVT‑10中形成捕获中心而能够表现出突触行为的特性,结合银金属作为源电极与有机半导体PDVT‑10接触形成的金属‑半导体结来引入肖特基势垒,从而使其限制有机突触器件的源漏电流,最终降低器件工作能耗。此外,器件表现出生物突触行为时的工作电流均在10-10 A量级,如兴奋性突触后电流等基础的突触行为。研究方案为构建类脑水平的神经形态计算网络提供了一种简单高效的策略。
肖特基势垒 神经形态器件 低能耗 Schottky barrier neuromorphic device low energy consumption 
光电子技术
2023, 43(4): 305
作者单位
摘要
1 中国葛洲坝集团 第一有限公司, 宜昌 443002
2 武汉理工大学 土木工程与建筑学院, 武汉 430070
五强溪水电站扩机工程进水口围堰采用预留岩坎+混凝土围堰+土石子围堰的组合结构形式, 堰内岩坎为顺层坡, 软弱夹层较发育, 围堰爆破拆除环境和地质条件复杂。顺层岩坎拆除时无法按常规围堰的经济断面进行大范围削方和一次拆除, 深水水下爆破开挖工程量大、块度要求高、施工时间长、安全风险高。爆破拆除过程中在保证围堰稳定的条件下, 采取垂向分层、水平向分区、台阶松动爆破的施工方法, 尽可能多地实施陆上开挖。水下爆破根据岩坎地质条件、岩体力学特性及覆盖水深(20~37 m), 结合水下爆破清渣块度要求, 采用0.9~1.1 kg/m3的炸药单耗。通过数码电子雷管高精度延时起爆技术, 严格控制单段最大药量(60 kg以内), 并设置气泡帷幕和柔性防护网等一系列安全防护措施。经现场爆破监测结果表明:爆破振动及水击波对进水口闸门等建构筑物的影响得到了有效控制, 提高了水下清渣、转运效率得到了提高。
扩机工程 进水口 围堰拆除 岩坎 顺层坡 expansion project water inlet cofferdam demolition rock barrier bedding slope 
爆破
2023, 40(2): 117
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第十三研究所, 河北石家庄 050051
2 固态微波器件与电路全国重点实验室, 河北石家庄 050051
介绍了一款基于 GaAs肖特基二极管单片工艺的 220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。为提高输出功率, 倍频器采用多阳极结构, 8个二极管在波导呈镜像对称排列, 形成平衡式倍频器结构。采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不一致问题, 提高了倍频器的转换效率和工作带宽。对设计的倍频器进行流片、装配和测试, 测试结果显示: 倍频器在 204~ 234 GHz频率范围内, 转化效率大于 15%; 226 GHz峰值频率下实现最大输出功率为 90.5 mW, 转换效率为 22.6%。设计的 220 GHz倍频器输出功率高, 转化效率高, 工作带宽大。
倍频器 太赫兹 肖特基二极管 结电容 单片 frequency doubler tearhertz Schottky barrier diode junction capacitance Microwave Monolithic Integrated Circuit 
太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(9): 1080
作者单位
摘要
1 郑州大学材料科学与工程学院河南省高温功能材料重点实验室,郑州 10459
2 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司先进耐火材料国家重点实验室,河南 洛阳 471039
3 中国中钢集团有限公司,北京 100080
4 昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明 650000
新型高温热障涂层材料已成为新一代航空发动机发展的关键材料。本工作通过固相反应法合成了一种单斜结构的高熵稀土钽酸盐材料(Y0.2Gd0.2Dy0.2Ce0.2La0.2)TaO4[(5RE0.2)TaO4],研究了其热、力学性能及抗熔融硅酸盐环境沉积物(CMAS)侵蚀性能。结果表明:(5RE0.2)TaO4具有极低的热导率(1.22 W·m-1·K-1,600 ℃)和较高的热膨胀系数(10.3×10-6 K-1,1 200 ℃),与YSZ材料相比(2.1~2.7 W·m-1·K-1,100~900 ℃)热导率下降了近42%。由于独特的铁弹增韧效应,其断裂韧性达2.8 MPa·m1/2,优于多数新型热障涂层材料。1 350 ℃不同时间及CMAS侵蚀后,(5RE0.2)TaO4反应层厚度和渗透深度均显著小于YSZ材料,是一种极具应用潜力的新型热障涂层材料。
稀土钽酸盐 高熵陶瓷 熔融硅酸盐环境沉积物侵蚀 热障涂层 rare earth tantalate high entropy ceramics molten silicate environmental deposits corrosion r thermal barrier coating 
硅酸盐学报
2023, 51(12): 3133

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