1 杭州电子科技大学电子信息学院, 浙江杭州 310018
2 中国电子科技集团公司第五十研究所, 上海 200331
制备了响应在太赫兹波段的台面型砷化镓 (GaAs)基阻挡杂质带 (BIB)探测器, 并进行了背景电流的测试分析。采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)工艺进行外延层生长, 能更有效地控制吸收层的掺杂浓度, 提高阻挡层的纯度。另外, 搭建了 GaAs基 BIB探测器的低温测试系统, 在3.4 K测试温度下, 对器件施加 -5~5 V偏压, 测得 300 K背景响应电流在 10-2~10-6 A量级。在低电流区, 电流随偏压增加的速率相对较快; 在高电流区, 电流随偏压增加的速率变得相对平缓。且对于相同偏压绝对值, 正偏压工作模式下的背景响应电流比负偏压工作模式下的背景电流高。基于测试结果, 重点分析了 GaAs基 BIB探测器的光电输运机理。
砷化镓 阻挡杂质带探测器 外延工艺 背景响应电流 暗电流 太赫兹探测 GaAs Blocked -Impurity-Band detector epitaxial process background current dark current terahertz detection 太赫兹科学与电子信息学报
2018, 16(3): 383
