研究了传统荧光材料香豆素C545T在激基复合物3DTAPBP/TPBi和非激基复合物CBP/TPBi体系中发光机制, 器件结构为ITO/MoO₃/3DTAPBP/C545T/TPBi/LiF/Al和ITO/MoO₃/CBP/C545T/TPBi/LiF/Al。 3DTAPBP, CBP和TPBi分别是有机材料2,2’-Bis(3-(N,N-di-p-tolylamino) phenyl) biphenyl, 4,4’-bis(N-carbazolyl)-2,2’-biphenyl, 1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl) benzene的简称。 薄膜3DTAPBP, CBP和TPBi的光致发光峰分别为415, 411和380 nm; 异质结薄膜3DTAPBP/TPBi的光致发光光谱有两个发光峰: 412和490 nm, 412 nm的峰可认为是3DTAPBP的发光, 但490 nm的发光既不来自3DTAPBP, 也不来自TPBi, 是3DTAPBP与TPBi界面形成激基复合物产生的发光; 而异质结薄膜CBP/TPBi的光致发光光谱表现为CBP和TPBi发光的叠加, 未产生新的发光峰, 因此CBP/TPBi界面不能形成激基复合物。 把C545T插入激基复合物3DTAPBP/TPBi和非激基复合物CBP/TPBi界面, 器件的电致发光光谱表明发光主要来自C545T。 器件中, C545T与其两侧的材料相互扩散, 形成掺杂体系, 即C545T与3DTAPBP、 TPBi, 或与CBP、 TPBi形成掺杂体系, 掺杂体系中客体发光机制通常有两种: 主体与客体之间的能量传递和客体直接捕获载流子形成激子发光。 在激基复合物3DTAPBP/TPBi体系中, 主体3DTAPBP/TPBi的发光涵盖了客体C545T的激发光谱, 光谱重叠面积大, 且器件的电流密度-电压曲线几乎不随C545T厚度(浓度)的增加而变化, 因此发光机制主要是来自3DTAPBP/TPBi与C545T之间的能量传递。 而在非激基复合物CBP/TPBi体系中, 主体CBP/TPBi的发光与客体C545T的激发光谱重叠面积相对较小, 能量传递较弱, 同时器件的电流密度-电压曲线随C545T厚度(浓度)的增加向高电压方向移动, 说明C545T捕获载流子复合发光, 使得C545T越厚驱动电压越高, 因此非激基复合物体系中, C545T发光机制以直接捕获载流子为主。