中国科学院上海微系统与信息技术研究所粒子束重点实验室,上海市长宁路865号,200050
研究了经氢等离子体处理后多壁碳纳米管的场发射性能.测量了处理前后样品的电流电压特性和表面形貌.结果表明经氢等离子体处理后,发射性能明显改善,发射点密度由未经处理的104/cra2提高到106/cm2.发现了一种新的碳纳米管结构,称之为多结的碳纳米管,并讨论了样品发射性能提高的可能机理.这种处理提供了一种有效提高发射点密度和基于碳纳米管的平板显示器性能的方法,非常适用于低成本大面积场发射阴极的制作.
碳纳米管 场发射 氢等离子体处理 Carbon nanotubeds Field emission Hydrogen plasma p
