1 上海大学 机电工程与自动化学院, 上海 200072
2 上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072
采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜, 通过在p-GaN和GZO界面之间插入AgOx薄层来改善LED器件的接触性能。研究结果表明: 氮气退火后, 采用界面插入层的AgOx/GZO薄膜电阻率为5.8×10-4 Ω·cm, 在可见光的透过率超过80%。AgOx界面插入层有效地降低了GZO与p-GaN之间的接触势垒, 表现出良好的欧姆接触特性, 同时使LED器件的光电性能获得了显著的提高。在50 mA的注入电流下, 相比于常规的GZO电极LED器件, AgOx/GZO电极LED器件的正向电压由9.68 V降至6.92 V, 而发光强度提高了13.5%。
界面插入层 GZO电极 欧姆接触 LED LED insertion layer GZO electrode Ohmic contact
