1 上海师范大学 数理学院, 上海 200234
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence, PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio, SNR)对GaAs1-xBix 带尾能级探究的限制问题, 基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs1-xBix 外延膜开展变激发光斑尺寸PL光谱测试分析.结果表明, 激发功率恒定时光斑直径增大导致PL峰位红移和线宽先降低后增大.这一现象是由于等效激发功率密度的降低而导致的.在保持激发功率密度为5.1 W/mm2时, 光斑增大不影响光谱线型但显著提升SNR.由此, 低激发功率密度PL光谱的弱信号探测能力得以提高, 有助光谱定量拟合分析.本工作表明, 适当增大激发光斑尺寸有助于低激发功率密度PL光谱的SNR和弱信号分辨能力的提升.
光斑尺寸 信噪比 光致发光 spot size, signal-to-noise ratio (SNR), photolumin GaAsBi 红外与毫米波学报
2019, 38(2): 02210
