1 重庆大学光电工程学院光电技术与系统教育部重点实验室, 重庆 400044
2 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
设计了一种以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品作为透射式阴极材料，并利用超高真空表面净化工艺与（Cs,O）激活工艺对其进行了光电阴极制备。紫外光谱响应测试结果表明，所制备的GaN紫外光电阴极在透射式工作模式下具有明显的“门”字响应，最高量子效率15％，与反射式光谱响应曲线相比，透射式阴极的总体响应幅度较低，长波响应阈值向短波推移。最后从阴极材料结构、外延水平及阴极制备工艺方面分析了所得的实验结果。
紫外探测器 GaN紫外光电阴极 表面净化 O）激活工艺 光谱响应测试 光学学报
2010, 30(s1): s100103
