丁国建 1王晓晖 1冯琦 1于萍 1[ ... ]汪洋 1,*
作者单位
摘要
1 松山湖材料实验室,广东 东莞 523808
2 中国科学院物理研究所 清洁能源重点实验室,北京 100190
铌酸锂薄膜光子集成技术在高速光电子领域不断凸显,被广泛用于各种片上功能实现,如电光调制、光频梳、滤波器、非线性光学频率转换器、非线性量子光源、激光器等。在铌酸锂薄膜光子集成技术发展过程中,目前面临的一个重要的技术瓶颈就是铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤的高效耦合。针对这一问题,设计了一种基于SiO2、SiON锥形结构以及双层铌酸锂锥形结构的模斑转换器,实现铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤之间模式和能量的高效传递与转换。采用三维有限差分光束传播法对器件结构进行了模拟仿真,并优化了结构参数,可实现与铌酸锂薄膜波导与单模光纤的高效耦合,耦合效率在82.2%~89.0%之间,同时,得到了±1.8 µm光纤耦合对准容差,可为下一步制备出高效耦合的铌酸锂薄膜光子器件提供参考。
集成光学 模斑转换器 三维有限差分光束传播法 铌酸锂薄膜 耦合效率 单模光纤 integrated optics mode size converter three-dimensional finite difference beam propagation method lithium niobate film coupling efficiency single mode fiber 
红外与激光工程
2023, 52(9): 20220897
作者单位
摘要
1 北京科技大学 计算机与通信工程学院,北京 100083
2 北京市融合网络与泛在业务工程技术研究中心,北京 100083
提出了一种弱耦合领结型椭圆芯应力保偏少模光纤(PM-FMF),通过使用高折射率纤芯,所提出的光纤可在1505~1585 nm波段下,支持32个独立的本征模式。椭圆纤芯和领结型应力区的引入,有效地分离了相邻的本征模式。采用有限元法对领结型椭圆芯应力PM-FMF的纤芯及领结型应力区的结构参数进行优化。评估了光纤参数对模式数量、模式间的最小有效折射率差、模态双折射、应力双折射以及弯曲损耗的影响。此外还分析了该光纤的带宽性能,包括模式间的有效折射率、有效折射率差、差分模式时延(DMD)。经数据分析,在1505~1585 nm波段下,该光纤支持的32个本征模式是完全分离的,相邻模式之间的最小有效折射率差大于1.295×10−4。所提出的弱耦合保偏少模光纤能够提高传输容量,在本征模式复用传输中具有潜在的应用前景。
少模光纤 保偏光纤 弱耦合 模分复用 双折射 few-mode fiber polarization-maintaining fiber weakly coupled mode division-multiplexing birefringence 
强激光与粒子束
2022, 34(11): 111006
作者单位
摘要
南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
Ⅲ-Ⅴ族半导体负电子亲和势( NEA)光电阴极智能激活测试系统是为研究、制备 NEA光电阴极材料提供的一个多信息实验数据自动采集和处理平台。它的亮点在于:在该系统上不但能完成 GaAs NEA光电阴极激活, 而且能进行 GaN NEA光电阴极激活的研究。其使用波长范围已从初级研究的 400~1000 nm延展到了 200~1000 nm, 即从红外延伸到紫外区域, 所能制备的材料也从第二代半导体材料扩大到了第三代半导体及新型半导体材料。在线实时测试信息量更丰富、更智能、自动化程度更高, 是Ⅲ-Ⅴ族半导体 NEA光电阴极制备、测控、数据采集与处理、表征的新一代系统。
光电阴极 负电子亲和势 铯氧激活 光谱响应 photocathode negative electron affinity Cs-O activation spectral response 
红外技术
2011, 33(12): 721
作者单位
摘要
南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京210094
由于GaN光电阴极的突出性能, 其在紫外探测方面有着广泛的应用。 文章在超高真空激活系统中, 对GaN样品进行了Cs/O激活实验, 并分析了激活后反射式的量子效率: 在240~350 nm的紫外波段内, 量子效率约在30%~10%之间, 曲线较为平坦, 在240 nm处达到30%的最大值, 与国外结果对比后发现, 本文获得的GaN光电阴极量子效率在短波段尚有不足。 研究了GaN(0001)表面的原子排列, 利用3D模拟了表面原子排列模型, 并推测了Cs在其表面的吸附情况。
GaN光电阴极 量子效率 表面原子排列 GaN photocathode Quantum yield Arrangement of surface atoms 
光谱学与光谱分析
2011, 31(10): 2655
作者单位
摘要
1 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京210094
2 重庆大学光电工程学院, 重庆400030
高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因, GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素。 针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN 光电阴极在结构上的不同, 结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额, 分析了均匀掺杂和梯度掺杂负电子亲和势GaN光电阴极性能的异同。 实验表明, 与均匀掺杂结构阴极相比, 梯度掺杂结构阴极在激活过程中光电流增速较慢, 激活时间相对较长, 激活成功后量子效率较高。 采用场助光电阴极发射模型可以很好地解释二者间存在的差异, 梯度掺杂结构中内建电场的存在增加了电子向阴极表面的漂移运动, 提高了电子到达阴极表面的几率。
负电子亲和势 氮化镓 均匀掺杂 梯度掺杂 光电阴极 场助 量子效率 Negative electron affinity GaN Uniform-doping Gradient-doping Photocathode Field-assisted Quantum efficiency 
光谱学与光谱分析
2011, 31(8): 2036
作者单位
摘要
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏 南京 210094
对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEA GaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了p型掺杂浓度为1.6×1017cm-3发射层厚度150nm的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获得了NEA GaN光电阴极。利用实验室制备的多信息量测试系统对成功激活后的NEA GaN光电阴极进行了评估,结果显示:NEA GaN光电阴极的反射式量子效率达到了30%,透射式量子效率达到了12%。
GaN光电阴极 制备工艺 GaN photocathode NEA NEA Preparation technology 
红外技术
2011, 33(6): 332
作者单位
摘要
1 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
2 重庆大学光电工程学院, 重庆 400030
对梯度掺杂结构GaN阴极表面进行了化学清洗,清洗后利用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了阴极表面,分析表明化学清洗能有效去除阴极表面的油脂和加工中残存的无机附着物;然后在超高真空室内710 ℃下对阴极进行了高温退火清洁,去除化学清洗后残留在阴极表面的C、O等吸附物,使阴极表面达到制备高性能负电子亲和势(NEA)光电阴极所需的原子级清洁程度。最后通过阴极激活实验加以验证,结果证实化学处理后热退火方法能有效净化梯度掺杂结构GaN阴极表面。
光电子学 表面净化 X射线光电子能谱仪 梯度掺杂 GaN光电阴极 激活 
中国激光
2011, 38(4): 0417001
作者单位
摘要
南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
利用自行研制的超高真空激活系统与表面分析系统,通过X射线光电子能谱(XPS)分析确定了采用的GaN(0001)化学清洗配方的有效性,并通过激活结果验证了达到原子级清洁表面所采用的加热清洁工艺的正确性。结合激活过程中的光电流变化曲线,确定了高温Cs单独激活与后续Cs/O交替激活相结合的工艺,成功制备了表面达到负电子亲和势(NEA)的GaN光电阴极。激活结束后,用光纤光源照射,测得光谱响应。通过计算得到量子效率曲线,验证了整套制备工艺的正确性。通过一系列实验,确立了一套制备NEA GaN光电阴极的工艺流程。
光电子学 制备工艺 铯氧激活 GaN光电阴极 量子效率 
光学学报
2011, 31(2): 0219003
作者单位
摘要
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏南京210094
利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线。结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定,而后缓慢衰减。而GaAs光电阴极的光电流随时间近似呈指数衰减。结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分,分析原因主要是:两种阴极表面进行Cs/O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不同决定。GaN光电阴极激活后cs以复杂氧化物存在,更加稳定,灵敏度的衰减主要是由未分解的氧引起,而GaAs灵敏度下降的原因主要是表面双偶极层中的cs极易脱附,影响其稳定性。
光电发射 GaNNEA光电阴极 稳定性 量子效率 表面结构 NEA GaN GaAs stability decay double dipolelayerstructure 
红外技术
2010, 32(2): 117
作者单位
摘要
1 重庆大学光电工程学院光电技术与系统教育部重点实验室, 重庆 400044
2 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
设计了一种以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品作为透射式阴极材料,并利用超高真空表面净化工艺与(Cs,O)激活工艺对其进行了光电阴极制备。紫外光谱响应测试结果表明,所制备的GaN紫外光电阴极在透射式工作模式下具有明显的“门”字响应,最高量子效率15%,与反射式光谱响应曲线相比,透射式阴极的总体响应幅度较低,长波响应阈值向短波推移。最后从阴极材料结构、外延水平及阴极制备工艺方面分析了所得的实验结果。
紫外探测器 GaN紫外光电阴极 表面净化 O)激活工艺 光谱响应测试 
光学学报
2010, 30(s1): s100103

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