中国科学院,上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器.用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响.Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36 eV升高到400℃0.5 h的0.57 eV,退火延长为1 h势垒反而开始下降.分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因.
GaN金属-半导体-金属 伏安特性 退火 肖特基势垒 GaN metal-semiconductor-metal I-V characterization Annealing Schottky barrier
