国防科学技术大学光电科学与工程学院,湖南,长沙,410073
采用同轴电极实验装置,在μs级充电时进行了加压乙二醇/水混合液正电极击穿实验,并对实验结果进行了分析和解释,得出结论如下:击穿场强随静压以1/8次幂的关系而增加;击穿场强系数随乙二醇浓度的增加而增加;加压和添加乙二醇对于提高水介质耐高电压击穿的能力具有可叠加性,加压比添加乙二醇更有效;在静压12×105 Pa下乙二醇浓度80%的混合液击穿场强比常压下纯水击穿场强高112.2%.加压提高乙二醇/水混合液击穿场强的主要机制是加压增加了击穿延迟时间.
μs级充电 加压乙二醇/水混合液 高电压击穿 High electrical breakdown Pressurized glycol/water mixture Microsecond charging
国防科学技术大学光电科学与工程学院,湖南,长沙,410073
采用水介质同轴电极实验装置,开展了μs级充电加压水介质击穿实验研究,并对实验结果进行了分析和讨论,结果表明:在水介质正电极击穿类型的实验中,常压下水介质击穿场强与Martin公式吻合.加压水介质击穿场强随静压的增加而增加,其场强增幅与Mirza定性理论场强增幅的相对差别在5%以内.根据实验结果推导出了更为准确的水介质击穿场强随静压变化的关系式.对水介质加压,将压缩电极表面气泡,减少气泡数目,从而可以提高水介质耐高电压击穿能力.
加压水介质 高电压击穿 μs级充电 High electrical breakdown Pressurized water dielectric Microsecond charging
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采用水介质同轴实验装置,改变电极表面的光滑程度,在μs级充电时进行水介质击穿实验,并对实验结果进行了分析和解释.结果表明:抛光电极表面可有效提高水介质耐高电压击穿能力;表面粗糙度为0.4～0.8 μm的抛光电极表面的击穿场强比表面粗糙度为1.6～3.2 μm的粗糙抛光电极表面,更符合Martin公式.电极表面光滑程度的改善,使阴极场致发射电流减弱进而击穿延迟时间变长,气泡也更难以附着在光滑的电极表面,从而可以提高水介质耐高电压击穿能力.
水介质 高电压击穿 μs级充电 电极表面光滑程度 Water dielectric High electrical breakdown Microsecond charging Polished surface of electrodes
研制了水介质同轴电容的实验装置,在此装置上进行了大量的实验.测得μs级充电时,水介质同轴电容分别在正脉冲和负脉冲充电时的击穿电压,负击穿电压的理论值与测量值相差较大,正击穿电压的理论值大于测量值的18%左右,对此实验结果进行了分析.此外,当去离子水的电阻率从13MΩ*cm降到5 MΩ*cm时,水介质同轴电容器的击穿电压基本不变.
μs级充电 水介质同轴电容 击穿场强 Microsecond charging Coaxial water capacitor Voltage of breakdown
