采用水热合成工艺低温制备了Mn2+掺杂的Zn2SiO4发光材料，采用X射线衍射(X-ray diffraction，XRD)、扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM)对样品的结构和形貌进行观察，并以此分析了水热过程中Zn2SiO4的形成机制。采用吸收光谱、荧光光谱对其光吸收及光致发光性能进行分析。测试结果表明: 水热220 ℃反应6 d基本可获得完全的Zn2SiO4，产物为短棒状，宽度约为0.25 μm，长度约为1 μm。吸收光谱显示产物在380, 250, 220 nm处存在光吸收，并且在253 nm紫外光激发下产生强烈的522 nm绿色发光。

采用水热合成方法添加KOH在SiO2颗粒表面包覆Mn2+掺杂纳米Zn2SiO4, 通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、能谱、光致发光(PL)光谱仪对产物的晶体结构、形貌及光学性能进行表征, 并对Zn2SiO4晶体在水热反应过程中的反应机制进行了讨论。XRD测试结果表明：220 ℃水热条件下, 添加少量KOH, 反应不同时间后, 可在石英砂表面生成一层Zn2SiO4; SEM照片显示所生成的Zn2SiO4为六棱柱形, 并且不同反应条件下Zn2SiO4的包覆程度不同。反应产物经光致发光性能研究表明：Mn2+掺杂纳米Zn2SiO4包覆SiO2样品中显示两套光致发光谱, 一套为250 nm左右激发产生的522 nm绿色发光带, 另一套为340~410 nm宽带激发的440 nm蓝色发光带, 前者为典型的Mn2+离子发光, 后者440 nm发光带则有可能来源于基体SiO2的氧空位缺陷。