牡丹江师范学院物理系,黑龙江省新型碳基功能与超硬材料重点实验室, 牡丹江 157011
通过第一性原理，对Na掺杂(NaZn)与Zn空位(VZn)及Na掺杂与O空位(VO)共存的ZnO体系的形成能、电子结构及磁性机理进行了研究。结果表明，Na原子与空位(VZn或VO)空间位置最近时，掺杂体系的形成能最低；与诱导VZn相比，Na掺杂在ZnO体系中更易诱导VO，并且过量的Na掺杂必然导致VO的形成。另外，磁性研究发现，Na掺杂与空位(VZn或VO)共存的体系都具有磁性。并且Na掺杂与VZn共存的ZnO体系磁性源于VZn的本征缺陷，而Na掺杂与VO共存的ZnO体系的磁性源于Na原子与VO的电子关联交互作用。
Na掺杂ZnO 第一性原理 形成能 电子结构 Na doped ZnO first-principle formation energy electronic structure
1 烟台大学 光电信息学院, 山东 烟台264005
2 烟台大学 环境与材料工程学院, 山东 烟台264005
采用溶胶-凝胶旋涂法在Si(100)衬底上制备Na掺杂ZnO薄膜，退火温度分别为873，973，1 073 K。研究了退火温度对Na掺杂ZnO薄膜形貌、微观结构和光学性能的影响。室温光致发光谱显示，在973 K下退火的样品具有中心位于361 nm处尖锐而强的紫外发光峰，在388，425 nm处各有一个比较弱的紫色和蓝色发光峰，在可见光范围内发光峰的强度很弱。
微结构 光学特性 溶胶-凝胶法 Na掺杂ZnO microstructure optical properties sol-gel method Na-doped ZnO
