1 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
2 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710049
研制了基于SOS的胡杨200和胡杨700脉冲功率源.给出了胡杨200和胡杨700的电路原理、组成结构和实验波形.介绍了在SOS脉冲功率源上开展的高重复频率强流电子束产生、长寿命阴极实验、绝缘介质的高重复频率击穿实验和低引导磁场无箔二极管等实验研究进展.经测试,胡杨200在2 kHz重复频率、负载阻抗200 Ω下,输出电压200 kV,脉冲宽度约35 ns,平均输出功率大于10 kW;在300 Hz条件下可连续运行.胡杨700同样为全固态脉冲功率源,其设计指标:输出电压700 kV,电流5 kA,脉冲宽度约40 ns;经初步调试在150 Ω电阻负载上单脉冲输出指标达到660 kV,4.4 kA,脉宽约70 ns.
半导体断路开关 脉冲功率源 磁脉冲压缩器 强流电子束 Semiconductor opening switch（SOS） Pulse power Magnetic pulse compressor High power electron beams
1 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
2 西安交通大学,电子与信息工程学院,陕西,西安,710049
主要介绍S-5N的结构及测试实验结果.S-5N型全固态重复频率脉冲发生器是目前国际上同类源中峰值功率和平均功率均为最大的一台.随负载大小的变化,S-5N脉冲发生器的输出电压为400～600kV,输出电流2～3kA,输出脉冲半高宽40～50ns,单脉冲输出能量40～65J.S-5N脉冲发生器在300Hz重复频率条件下可连续工作,500Hz重复频率条件下可连续工作3min,平均输出功率高达30kW.
半导体断路开关 脉冲发生器 磁开关 Semiconductor opening switch（SOS） Pulse power source Magnetic switch 强激光与粒子束
2004, 16(10): 1337
