系统级静电放电(ESD)效应仿真可以在电子系统进行测试之前进行有效的静电放电效应防护, 缩短研发周期。根据传输线脉冲测试(TLP)结果, 对瞬态电压抑制(TVS)二极管和芯片引脚进行spice行为建模, 结合ESD脉冲源的等效电路模型, PCB板的S参数模型, 采用场路协同技术完成了系统级静电放电效应的仿真。针对一个典型的电子系统, 在IEC 61000-4-2 ESD应力作用下, 完成了一款开关芯片防护电路的仿真, 并对电路进行了加工、放电测试, 仿真与测试芯片引脚的电压波形吻合良好, 验证了该仿真方法的有效性。

在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中，真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题，以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例，对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段，获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线，结合数值计算，推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数，结合数值计算的结果，建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真，计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对，计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外，也为其他器件物理模型的建立提供了参考，可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。