1 电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054
2 美国密西根大学,核工程与放射科学系,安娜堡,MI 48109
不同注量200keV Xe+ 注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明,随着辐照注量的增加,缺陷簇的密度增大,在1×1015～1×1016 cm-2 Xe+注量,缺陷簇密度迅速增大,形成间隙型位错环;当Xe+注量增大到1×1017cm-2,缺陷簇密度的增加变得缓慢,并且有直径为2～4nm的Xe气泡析出.选区电子衍射花样表明YSZ样品没有产生非晶化转变.在Xe+辐照的离位率高达约350dpa的情况下,YSZ晶体没有非晶化,其原因主要是由于注入的Xe+以气泡形式析出.
单晶YSZ Xe+辐照 透射电子显微镜 辐照缺陷 YSZ single crystal Xe ion irradiation TEM Irradiation defects
