李桐桐 1,2,*肖超 1,2焦岗成 1,2闫磊 1,2[ ... ]李成林 1,2
作者单位
摘要
1 微光夜视技术重点实验室,陕西 西安 710065
2 昆明物理研究所,云南 昆明 650223
电子轰击有源像素传感器(electron bombarded active pixel sensor, EBAPS)作为真空-固体混合型微光器件,其性能和工作寿命一定程度上取决于器件内部真空度保持情况。分析造成EBAPS器件真空度下降的原因,推断出真空度恶化的严重后果,提出提高和保持EBAPS器件内部真空度的手段,通过搭建超高真空除气系统对EBAPS器件中核心部件电子敏感CMOS部件的放气特性进行了研究,并根据研究结果得到最佳的除气工艺参数,为EBAPS数字化微光器件的制备提供了技术基础。
电子轰击有源像素传感器 电子敏感CMOS 放气特性 除气工艺 electron bombarded active pixel sensor electronic sensitive complementary metal-oxide-semiconductor discharging characteristics degassing process 
应用光学
2022, 43(6): 1181
作者单位
摘要
1 军械工程学院 光学与电子工程系,河北 石家庄050003
2 中国人民解放军73906部队,江苏 南京210028
3 中国人民解放军66011 部队,北京100000
结合脉冲氙灯泵浦工作过程分析了剩余电压的产生机理,理论分析了剩余电压对脉冲氙灯放电特性的影响,并进行了实验测试。测试结果表明:随着剩余电压的增大,氙灯发光波形的形状基本保持不变,但发光功率峰值逐渐减小,当达到不稳定状态时(剩余电压为308 V),峰值功率降至初始值的61.4%;同时,闪光时间也相应减小25 μs左右。由此可见,剩余电压的存在将直接影响到激光发射装置的出光稳定性、激光脉冲宽度以及激光功率。鉴于此,在今后氙灯泵浦激光设备的设计、研制时,必须对剩余电压的影响进行充分论证,根据激光装置的工作特性和应用要求,合理确定剩余电压的上限。
脉冲氙灯 放电特性 剩余电压 辐射峰值 闪光时间 xenon flash lamp discharging characteristics residual voltage radiation peak flash time 
光学仪器
2012, 34(4): 40
作者单位
摘要
1 军械工程学院 光学与电子工程系, 石家庄 050003
2 山东大学 信息科学与工程学院, 济南 250100
研究了储能电容自身损耗对氙灯放电特性的影响,对脉冲氙灯放电回路进行了分析与改进。在实际电容自身损耗不为零的情况下,将电容等效为理想电容与损耗阻抗的串联,给出了计算氙灯放电特性的改进公式,并详细计算和分析了电容自身损耗增大情况下的氙灯放电电流和放电功率变化情况,计算结果表明:损耗增大会导致氙灯放电电流、功率峰值下降,闪光时间缩短,显著影响激光泵浦效率; 电容损耗增大还会导致LC放电回路出现电容反充电现象,影响氙灯正常工作并缩短灯的寿命。实际的储能电容充放电实验证明,电容损耗增大会导致氙灯闪光的波形峰值下降、闪光时间缩短和电极溅射加剧,验证了理论分析的合理性。另外,实验证明环境因素对储能电容自身损耗的增大具有非常显著的影响。
脉冲氙灯 放电特性 电容损耗 损耗阻抗 波形峰值 闪光时间 xenon flash lamp discharging characteristics capacitor loss loss resistance waveform peak flash time 
强激光与粒子束
2012, 24(10): 2474

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