中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220
研究了 DAST晶体的有效二阶非线性系数和太赫兹发射性能。实验以 DAST-甲醇溶液的亚稳区范围为依据, 采用溶液降温法进行 DAST的生长。实验发现, 降温速率越快, 晶体的生长速度越快, 但晶体易发生多晶转变;在晶体生长后期, 采用较慢的降温速率, 有利于晶体厚度的增加。经磨抛后的晶体表面粗糙度能够达到光学测试等级(微米级)要求。经测试, DAST晶片有效二阶非线性系数平均值为 16.58 pm/V, 实现了频率范围 0.84~10 THz的太赫兹波发射, 并在
DAST晶体 太赫兹 DAST terahertz effective second -order nonlinear coefficient performance 太赫兹科学与电子信息学报
2020, 18(4): 570
