1 中电科芯片技术(集团)有限公司， 重庆 400060
2 模拟集成电路国家级重点实验室， 重庆 400060
综述了近年来国际上SiGe BiCMOS工艺的最新研究成果和工艺量产情况，具体展现和讨论了不同机构所研发的器件结构、工艺流程及其性能，并且展望了器件及工艺进一步优化的方向。虽然目前传统的双多晶自对准选择性外延基区结构实现了最佳的量产性能，但受限于内外基区连接电阻和选择性外延基区薄膜的不均匀性，其器件性能很难再有进一步提高。非选择性外延基区结构在实验室获得了极高的性能，但其自对准特性较低，这妨碍了其工业量产和更大规模集成。维持HBT器件与更小尺寸基线CMOS的工艺兼容性变得越来越困难。对高性能、工业量产和低成本进行综合，仍然是一项具有较大挑战性的任务。
高频性能 工业量产 SiGe BiCMOS SiGe BiCMOS SiGe HBT SiGe HBT high frequency performance mass production
电子科技大学 物理电子学院, 微波电真空器件国家级重点实验室, 成都 610054
通过模拟计算，分析螺旋线内径和螺距变化对色散和耦合阻抗的影响，优化慢波结构，初步设计了Ku波段螺旋线行波管慢波结构。模拟行波管输入输出结构，得到输入端反射系数小于-19 dB，电压驻波比小于1.24。电子聚焦系统采用周期永磁聚焦，磁场周期为8.5 mm，计算得到磁场峰值为0.17 T。为提高注波互作用效率，采用具有动态速度渐变特性的慢波结构，使得电子注与高频场有足够的互作用时间,从而保证电子不断地将能量交给高频场。运用三维PIC粒子模拟软件分析行波管的注波互作用，得到在12.5~16 GHz频率范围内输出功率大于88.7 W，电子效率大于14.8%，增益大于34.6 dB。
行波管 高频特性 注波互作用 周期永磁聚焦 Ku波段 traveling-wave tube high frequency performance beam-wave interaction periodic permanent magnetic Ku band 强激光与粒子束
2014, 26(6): 063030
