中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900
采用两步法制备了高能质子源靶用氢化铒薄膜。并研究了氢化时间、氢化速度等因素对氢化铒薄膜质量的影响。XRD结果显示,只有氢化时间超过24 h才能获得较纯净的氢化铒薄膜。将氢化反应温度和氢气压力控制在适当范围内，使得铒薄膜缓慢被氢化并使得氢化过程所产生的应力缓慢释放，可获得较完整的氢化铒薄膜。所获得的5~15 μm氢化铒薄膜已经应用于高能质子束的产生实验，取得了良好的实验结果。
高能质子束 氢化铒薄膜 影响因素 反应温度 氢气压力 high energy proton beams erbium hydride films influencing factors reaction temperature hydrogen pressure
