1 华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室, 广东 广州 510640
2 复旦大学 上海超精密光学制造工程技术研究中心, 上海 200433
3 广东金鉴检测科技有限公司, 广东 广州 511300
4 广州虎辉照明科技公司, 广东 广州 510170
5 华南师范大学 美术学院, 广东 广州 510631
针对LED样品检测中的样品短路失效、LED光源黑化、光通量下降和芯片表面通孔异常现象, 采用金相切片、机械微操、静电测试等方式结合扫描电镜和能谱仪(EDS)等表征手段对失效机制进行了分析, 揭示了LED失效原因。包括镀层银离子与杂质硫离子导致光源黑化; 芯片抗静电电压低, 部分样品发生静电击穿; 失效芯片通孔下面的Ni-Sn共晶层存在大量空洞, 使得复杂结构的芯片通孔应力不均, 样品工作时芯片表面开裂破碎, 从而导致PN结短路失效; 封装胶中残存的杂质离子腐蚀芯片负电极导致电极脱落而出现漏电、光衰和死灯等现象。
可靠性分析 电极 芯片 封装 LED light-emitting-diode(LED) invalid analysis electrode chip encapsulation
