石墨烯由于高迁移率、高导热性、柔韧性好和机械强度高等优异性能使其成为构筑新型纳米电子器件的重要材料，已成为电子信息、生物医学、显示等领域的研究热点。当石墨烯材料及其电子器件放置于含有辐照因素的场景中时，会因为与高能光子和带电粒子等相互作用而改变晶格结构或积累电荷，使石墨烯材料及电子器件的性能发生变化。本文主要综述了典型辐照因素对石墨烯及器件的主要效应及研究进展，旨在总结不同辐照在石墨烯及其电子器件中引发的物理效应，归纳其微观-宏观性质变化，为加深石墨烯材料及器件的辐照效应的理解，推动其在辐照场景中的实际应用奠定基础。

为客观评价超宽谱高功率微波对某型连续波多普勒引信的干扰能力，构建了引信辐照效应试验系统，并开展了辐照效应试验。试验结果表明：受试引信最强能量耦合姿态为引信竖直向上，弹体轴线与辐射场传播方向垂直，三角环天线平面垂直于辐射场传播方向；主要能量耦合通道为弹体；重复频率越高，发火电路端耦合电压越大，且同为82 kV/m的辐照场强，单次、10 Hz重频、20 Hz重频和50 Hz重频触发条件下耦合信号电压值分别约为66.5，69.4，71.5，74.6 V；在157 kV/m干扰场强范围内，超宽谱不会造成引信意外发火，但会影响引信检波电压和工作电流等性能参数。

为了研究雷电电磁脉冲场对连续波多普勒引信安全性能的影响，确定引信的能量耦合通道和效应规律，构建了引信雷电电磁脉冲辐照试验系统，并开展了该引信雷电电磁脉冲辐照效应试验。试验结果表明: 受试引信最佳能量耦合姿态为引信竖直向上，弹体轴线与辐射场传播方向垂直，三角环天线平面垂直于辐射场传播方向; 主要能量耦合通道为弹体; 不同辐照波形下引信的临界干扰场强不同，在配用152 mm弹体时，1.2/50，5.4/70，0.25/100和10/350 μs波形的临界干扰场强分别约为74，60，65和75 kV/m。雷电电磁脉冲对受试引信的作用机理为: 辐射能量通过弹体耦合到执行电路输入端，由于感应信号脉冲宽度满足触发脉冲宽度的最低要求，从而推动引信执行电路误动作。

为了研究通信装备受超宽带电磁脉冲干扰的影响规律，对某型通信电台开展了超宽带电磁脉冲辐照效应实验。研究发现：在场强为50 kV/m，脉冲下降沿小于1 ns、脉宽小于2 ns的超宽带辐射场下，受试电台出现显示屏显示异常，造成该效应的电磁能量耦合通道为电台显示面板；增大超宽带辐射场至150 kV/m时，短波电台出现显示屏显示异常、死机、重启、声音中断（调谐后恢复）等效应；超宽带脉冲对通信电台的效应只与辐射场强度有关，不存在累积，造成这些效应的电磁能量耦合通道为电台显示面板和供电电源线。

为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应，寻求单粒子翻转敏感部位，以XCV300PQ240为实验样品，利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面，并根据配置存储单元用途的不同，对翻转数据进行了分类。结果表明：SRAM型FPGA的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感；配置存储器翻转主要由查找表(LUT)及互连线资控制位造成，这两者的翻转占总翻转数的97.46%；配置存储器中各类资源的单粒子翻转(SEU)敏感性并不一致，输入输出端口(IOB)控制位和LUT的单粒子翻转的敏感性远高于其它几类资源，但LUT在配置存储器中占有很大比例，在加固时应予以重点考虑。

为了研究6H-SiC材料制作的pn结二极管探测器的辐照特性,采用蒙卡程序模拟研究了4.3和1.8 MeV能量的α粒子在辐照探测器中的物理过程。介绍了二极管探测器的工艺制作和物理参数,根据其结构建立了仿真模型,利用蒙卡程序进行了α粒子照射的仿真研究。研究结果直观地反映了α粒子在探测器中的输运情况。α粒子在探测器中的辐射效应主要是电离作用,电离产生的电子-空穴对形成一定的分布。给出了α粒子在探测器中的电离能量损失分布及二极管探测器的电荷收集效率表达式。