徐哲元 1,3,4蒋英 2,3,4,*潘安练 1,3,4,*
作者单位
摘要
1 湖南大学 材料科学与工程学院,长沙 410082
2 湖南大学 物理与微电子科学学院,长沙 410082
3 微纳结构物理与应用技术湖南省重点实验室,长沙 410082
4 光电集成创新研究院,长沙 410082
二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-爱因斯坦凝聚态),它们不受粒子数反转的限制,可实现超低阈值激光。同时结合其谷极化特性,可为强耦合状态的谷电子学应用如光自旋开关和谷极化双稳态器件等提供潜在应用。分别对二维过渡金属硫族化合物中的激子-极化激元、谷极化激子-极化激元和激子-极化激元的玻色爱因斯坦凝聚的研究进展进行了系统综述,最后总结分析了未来实现二维激子-极化激元激光需解决的关键科学问题并对其发展进行了展望。
低维半导体光与物质相互作用 激子-极化激元 二维过渡金属硫族化合物 谷电子学 玻色-爱因斯坦凝聚 Low-dimensional semiconductor light-matter interaction Exciton-polariton 2D TMDs Valleytronics Bose-Einstein condensation 
光子学报
2022, 51(5): 0551307
王文娟 1,*李雪 1陆卫 1龚海梅 1[ ... ]王涛 3
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
2 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
3 西北工业大学, 陕西 西安 710072
面向国家“战略性先进电子材料”的发展目标, 以国家重大战略需求, 如全球气候观测、农林普查、国土资源探测、环境监测、深空探测和天文观测等领域的技术发展中面临的光探测器瓶颈问题为突破口, 瞄准半导体材料及其光探测器正在朝全光谱覆盖、大面阵、高灵敏等方向快速发展的国际态势, 开展低维半导体异质结构材料与光电器件研究, 发展该体系材料人工设计精细调控的关键技术, 推动多波段多种类型的光电探测器技术进步, 促进我国经济、社会、****及科学技术的发展.
低维半导体 异质结构 光电探测材料 光电探测器 low dimensional semiconductor hetero-structure photoelectric detecting materials photodetectors 
红外与毫米波学报
2016, 35(6): 766
作者单位
摘要
Laboratory for Physical Electronics and Photonics,Department of Physics and Engineering Physics,Chalmers University of Technology,S-412 96 Goteborg,Sweden
optical spectrum low-dimensional semiconductor optical gain population inversion. 
红外与毫米波学报
2003, 22(6): 401

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