1 哈尔滨工业大学空间光学工程研究中心, 黑龙江 哈尔滨 150001
2 长春理工大学材料科学与工程学院, 吉林 长春 130022
通过射频磁控溅射技术,成功制备了具有金属-半导体-金属(MSM)结构的ZnO紫外光电探测器。研究了外加偏压对探测器响应度和截止波长的影响。随着偏压的增大,器件的响应度逐渐增加并且趋于饱和,探测器的响应截止波长红移了12 nm。这是电场引起的耗尽层的展宽以及带隙倾斜造成的。提出了一种利用外加偏压控制探测器截止波长的有效方法,该方法对紫外光电探测器的进一步研究和应用具有重要意义。
探测器 光电探测器 氧化锌 金属-半导体-金属结构 响应度 截止波长 红移 光学学报
2020, 40(20): 2004001
长春理工大学材料科学与工程学院, 吉林 长春 130022
采用射频磁控溅射，通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法，制备了不同电极间距的金属半导体金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器。研究了器件的暗电流和响应度随电极间距的变化关系，当施加的电压没有达到贯穿电压的时候，暗电流和响应度均随着电极间距的增加而减小，并对其具体的机制进行了研究。
光电探测器 氧镁锌 响应度 暗电流 金属半导体金属(MSM)结构 光学学报
2011, 31(10): 1004002
西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 陕西 西安 710071
用MEDICI软件对金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外(UV)探测器的I-V特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响。结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密度达到10-13 A/μm,且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级; 探测器的光谱响应范围为200～400 nm,在347 nm处响应度达到极大值; 增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度; 当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响,而当波长大于峰值波长时随着外延层厚度的增大探测器的响应度有所增大。
探测器 紫外探测器 模拟 金属-半导体-金属结构 光谱响应
