西安工业大学光电工程学院, 陕西 西安 710021
采用光刻技术、刻蚀技术和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，在线阵掩模微结构表面沉积了SiO2和Si3N4薄膜，研究了线阵掩模的宽度和厚度,以及薄膜的厚度和沉积速率对SiO2和Si3N4薄膜复形性的影响，制备得到了具有良好微结构形貌的微结构滤光片阵列。结果表明，薄膜沉积速率越大，薄膜的复形性越好；掩模厚度和薄膜沉积厚度的增加会导致薄膜的复形性变差；SiO2薄膜的复形性优于Si3N4薄膜的。
薄膜 复形性 光刻 等离子体增强化学气相沉积 微结构滤光片 激光与光电子学进展
2017, 54(11): 113102
