为了提高AlGaN日盲紫外雪崩探测器的信噪比, 降低暗电流, 研制高性能日盲紫外探测器, 针对AlGaN日盲紫外雪崩探测器暗电流机制进行了深入研究。首先对传统p-i-n-i-n结构雪崩探测器进行了初步研究, 分别设计了GaN和AlGaN的两种雪崩探测器模型, 分析了其不同暗电流特性, 得到的模拟暗电流特性曲线与实验吻合。在此基础上, 针对日盲紫外波段高Al组分AlGaN雪崩探测器, 重点分析研究了不同异质界面的负极化电荷、p型有效掺杂以及温度等因素对暗电流的影响。在AlGaN日盲紫外雪崩探测器研究中得到的近零偏工作暗电流为2.5×10-13 A, 在反向138 V左右发生雪崩击穿, 雪崩开启电流为18.3 nA左右, 击穿电压温度系数约为0.05 V/K, 与实验及文献测试结果吻合。