1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室, 吉林 长春 130033
2 中国科学院大学材料与光电研究中心, 北京 100049
1160 nm波段垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)是医用橙黄激光的基频光源,但是其发光区的高应变InGaAs量子阱会引起严重的应变积累效应,限制高功率输出。提出一种在单个发光区内采用GaAsP材料对高应变InGaAs量子阱进行二次补偿的方法,保证发光区内的光学吸收层具有高的材料生长质量。提出含Al吸收层的结构,以降低GaAsP势垒引起的能带阻挡效应,提高了发光区光生载流子的注入效率。所制备的VECSEL器件激光波长为1160 nm,输出功率达1.02 W,并获得圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为10.5°和11.9°。
激光物理 半导体激光器 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器 增益芯片 应变量子阱
1 华北科技学院基础部, 北京 101601
2 华北科技学院计算机学院, 北京 101601
介绍了光抽运垂直外腔面发射激光器的材料增益特性，以InGaAs/AlGaAs应变量子阱系统为例，建立了将带边偏置、能带结构和材料增益系统结合起来的理论模型。用Model-Solid模型确定带边偏置比，然后采用导带抛物线近似及价带6×6 Luttinger哈密顿量精确计算了能带结构和材料增益。基于对材料增益特性的分析研究，优化设计了1 μm波段的量子阱有源区，分别对量子阱的阱宽、阱深和阱的构成形式进行了优化设计并得到了最优选择，为光抽运垂直外腔面发射激光器的优化设计提供了理论依据。
激光器 光抽运垂直外腔面发射激光器 优化设计 6×6 Luttinger哈密顿量 材料增益 能带结构
1 北京工业大学应用数理学院, 北京 100022
2 北京大学信息学院量子电子研究所, 北京 100871
介绍了半导体可饱和吸收镜锁模光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的原理、基本结构特点、应用及设计中的主要问题,对其研究进展及未来发展趋势作了分析和总结。
激光技术 半导体可饱和吸收镜锁模 光抽运垂直外腔面发射半导体激光器 脉冲重复频率 Q开关
