1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海200083
3 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海200050
在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上，采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器，其中心距为30 μm，并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明，温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV，300 K时在所考虑的偏压范围内，暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成.对组件焦平面特性也进行了研究，并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容，在测试温度范围内约为10 fF左右.
暗电流 寄生电容 InGaAs InGaAs dark current R0A R0A parasitical capacitance
