李永富 1,2,3唐恒敬 1,2,3朱耀明 1,2,3李淘 1,2,3[ ... ]龚海梅 1,5,*
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海200083
3 中国科学院研究生院, 北京100039
4 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海200083
5 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海200083:
为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用, 设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流(LBIC)技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明, 无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述, 而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后, 器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中, 比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间.
扫描电容显微镜(SCM) 激光束诱导电流(LBIC) 光生载流子扩散 保护环 scanning capacitance microscopy(SCM) laser beam induced current(LBIC) photo-carrier diffusion guard-ring InP/InGaAs InP/InGaAs
