采用电子波包干涉方法研究了长程库仑势以及再散射电子对氢原子在少周期强激光场中阈上电离的影响。首先, 利用强场近似及Coulomb-Volkov近似结合时间窗函数, 模拟了氢原子在波长为800 nm且脉宽为5 fs的线性极化激光场中单电离的周期内干涉及周期间干涉图像, 发现在长程库仑势作用下周期内干涉及周期间干涉共同作用形成了二维动量谱中的部分扇形结构条纹, 其余部分扇形条纹的形成与再散射电子有关。然后, 通过数值求解含时薛定谔方程计算了深度隧穿电离机制下氢原子的二维动量谱, 在二维动量谱中出现了明显的径向条纹。研究结果表明, 该径向条纹的产生与长程库仑势无关, 是再散射电子波包干涉形成的。

利用强场近似结合时间窗函数的方法,计算了氢原子在少周期强激光场中阈上电离的二维动量谱,并与利用Coulomb-Volkov近似结合时间窗函数计算的结果进行了比较。发现在长程库仑势作用下,周期内干涉及周期间干涉的共同作用形成了二维动量谱中的扇形结构条纹。通过求解含时薛定谔方程方法,计算了氢原子在不同脉宽下的二维动量谱,发现二维动量谱中除了周期内干涉和周期间干涉条纹,还出现了一些特殊的条纹结构。研究结果表明,该结构是由再散射电子波包形成的。

利用改进的强场近似方法分析了长程势以及短程势在阈上电离能谱中的贡献, 确定了能谱中低能结构的起因。同时, 为了确定在计算电子与分子离子散射截面时用纯分子代替分子离子是否合理, 计算了不同入射电子能量条件下, 电子和原子离子弹性散射的微分散射截面。理论计算和实验结果表明在入射电子能量较大时, 长程势在激光诱导的电子离子大角度背向散射时的影响可以忽略, 证明了在大角度散射时, 用纯分子来代替分子离子是合理的。

HfO2薄膜在紫外光学中具有十分重要的地位，不同方法制备的HfO2薄膜特性不同，可以满足不同的实际应用需求。本文分别利用电子束蒸发和离子束溅射方法制备了用于紫外光区域的HfO2薄膜，并对薄膜的材料和光学特性进行了表征与比较。通过对单层HfO2薄膜的实测透射和反射光谱进行数值反演，得到了HfO2薄膜在230~800 nm波段的折射率和消光系数色散曲线，结果表明两种方法制备的HfO2薄膜在250 nm的消光系数均小于2×10-3。在此基础上，制备了两种典型的紫外光学薄膜元件(紫外低通滤波器和240 nm高反射镜)，其光谱性能测试结果表明，两种不同方法制备的器件均具有较好的光学特性。

本文研究了双通道光致离化系统的离化光电子能谱及原子布居相干捕获条件,结果表明,能谱及相干捕获不仅决定于离化光场的相位,而且与调制光场的相位及强度密切相关.