南华大学环境与安全工程学院, 湖南 衡阳 421001
分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器(4T-PPD-APS)的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型,并结合γ射线辐射响应实验,对有源像素传感器(APS)在不同光子能量及不同放射性水平条件下的响应特性进行了研究。研究结果表明:γ光子在光电二极管空间电荷区内沉积能量并形成扩散光电流是APS发生光子响应现象的根本原因;像素值的平均值随剂量率的增大呈先增大后趋于饱和的趋势;当典型事件区域内出现多个峰值时,像素值的统计值不能准确反映辐射场放射性水平。
探测器 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 光子辐射响应 钳位光电二极管
深圳大学 信息工程学院, 广东 深圳 518000
引入Taguchi方法分析并优化一种带外延层的PPD结构（EPPD），并通过SILVACO软件进行验证。实验结果显示该方法通过对EPPD像素结构工艺参数的优化，提升了该结构抑制噪声的能力和光电转换性能。
Taguchi方法 外延层 Taguchi method epitaxial layer pinned photodiode PPD SILVACO SILVACO
