1 中国工程物理研究院电子工程研究所, 四川 绵阳 621999
2 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心, 四川 绵阳 621999
3 中国科学院西安光学精密机械研究所, 西安 710119
针对太赫兹聚合物光子晶体光纤的应用需求, 对聚合物光纤的制备材料、预制棒制备、拉伸工艺等关键制备工艺进行了研究.分析了聚合物材料的特性, 并进行实验验证, 结果表明ZEONEX材料的吸收系数低于3 cm－1, 吸水性低于0.01%, 玻璃化转变温度和分解温度分别高达136℃和420℃, 在太赫兹光纤制备中具有优良性能.预制棒制备和光纤拉伸的工艺方面, 在注塑法的基础上改进了模具系统, 使用可控的微压拉丝技术, 在10~200 Pa范围内可实现±1.5 Pa的微压差精确控制, 较大程度上提高了光纤预制棒的成品率和光纤的形变控制, 有望制备出高空气填充率的聚合物光子晶体光纤.
太赫兹波 光子晶体光纤 光纤制备 塑料光纤 预成型技术 terahertz waves photonic crystal fibers fiber fabrication plastic optical fibers prefoming
1 厦门大学物理与机电工程学院
2 厦门大学能源研究院，福建 厦门 361005
基于0.5 μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器，包括传统的P+/N-EPI/BN+结构光电探测器和多叉指P+/N-EPI/BN+结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和性能，测试结果表明：多叉指状P+/N-EPI/BN+光电探测器能够改善650 nm的响应度以及降低结电容.选择该结构大面积P+/N-EPI/BN+光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器的单片集成，采用0.5 μm标准Biplor、 互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺实现了一个用于650 nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.该光接收芯片的测试结果表明：对650 nm的入射光，在160 Mb/s速率的伪随机二进制序列以及小于10－9的误码率条件下，光接收芯片的灵敏度为－15 dBm，并能得到清晰的眼图.因此，本文设计的光电探测器可以很好地应用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中.
塑料光纤通信 光接收芯片 单片光电集成 光电探测器 硅基 多叉值P+/N-EPI/BN+ plastic optical fibers communication optical receiver monolithic optoelectronics integrated circuit photodetector silicon-based multi-finger P+/N-EPI/BN+
1 Instituto de TelecomunicaC?es, Lisbon P-1049-001, Portugal
2 Department of Chemical and Biological Engineering, Instituto Superior Tecnico, Lisbon P-1049-001, Portugal
3 Department of Physics, Politecnico di Milano, Milan 20133, Italy
4 Luceat S.p.A., Dello (BS) 25020, Italy
Frontiers of Optoelectronics
2010, 3(1): 45–53
