设计了一款基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关的高压高频脉冲发生器，采用多个以光纤信号隔离触发的串联MOSFET作为高压开关，并由FPGA提供控制信号。该发生器由相同的MOSFET管部分组成，并联并按顺序触发，与参考信号同步。所述电路和工作模式克服了MOSFET管发生器的功耗限制，使脉冲重复率显著提高。详细介绍了该MHz高压脉冲发生器的工作原理和制作过程，然后进行了初步试验，验证了该发生器的性能。该电路在1 MHz的高重复率下，输出上升时间为十几ns、脉宽为百ns、电压幅值大于1 kV的平顶脉冲。
脉冲电源 功率MOSFET ns脉冲 1 MHz重频 脉冲合成 pulse power supply power MOSFET nanosecond pulse 1 MHz repetition frequency pulse synthesis 强激光与粒子束
2019, 31(9): 095001
