1 上海理工大学 光电学院, 上海 200093
2 中国科学院长春光机物理所应用光学国家重点实验室, 长春 130033
3 日本法政大学 工学院物质化学系, 日本 东京 184-8584
4 日本东京农工大学 工学院应用化学系, 日本 东京 184-8588
为了在As2S8薄膜中制备条形波导,实验研究了As2S8薄膜光致折射率变化和密度变化的现象,采用棱镜耦合、X线衍射和远红外反射光谱等测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象。采用可见光吸收谱测试技术,确认了经紫外光辐照的As2S8薄膜不发生黑化现象。在归纳了实验规律的基础上,提出并采用紫外光激励的方法试制了As2S8条形波导,采用自动调芯端面耦合的方法激励As2S8条形波导的导模,结果显示该波导具有良好的导波特性。
集成光学 光波导技术 As2S8条形波导 光致折射率变化
广州番禺职业技术学院,电子与机械系,广东,番禺,511483
利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素.
非线性光学 半抛物量子阱 密度矩阵方法 电场 折射率改变 nonlinear optics semi-parabolic quantum wells density matrix approach electric field refractive index changes
