西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室, 西安 710049
在维持电路参数同比变化和通过半导体断路开关(SOS)的电流密度不变的基础上，提出了一种SOS截断特性模拟的缩比模型，并可在Silvaco ATLAS软件中应用。在以不同的缩比率选取等效SOS横截面积的情况下，将原电路中串联的100个二极管等效为若干个二极管，模拟得到了相同的二极管电流和电压波形。模拟结果表明，该模型不仅可以得到正确的SOS瞬态截断过程，而且可将计算速度提高近百倍。通过对SOS截断过程中载流子分布和电场分布变化过程的分析发现，SOS的截断过程发生在nn+区。
半导体断路开关 缩比模型 截断过程 semiconductor opening switch scaled model opening process
1 北京大学 核物理与核技术国家重点实验室, 北京 100871
2 Institute for Applied Physics, Frankfurt University, Frankfurt/M 60438, Germany
为了提高中子产额, 法兰克福强中子源采用Mobley型束团压缩器来增强打靶时质子流的密度, 其入口处由射频踢波器实现微脉冲的偏转,踢波器由一对电偏转板和串联电感线圈组成谐振腔体。考虑到高频下寄生电容效应、导体腔壁对线圈电感的影响以及涡流效应对线圈交流电阻的影响, 对一台模型腔的射频特性进行了理论预测。对腔体内电磁场分布进行了数值模拟, 并利用电容微扰法进行了冷模测量。针对谐振频率、品质因数和并联分路阻抗等参数, 分析比较了理论计算、数值模拟及冷模测量的结果, 总结得出射频踢波器的有效设计方法。
中子源 踢波器 模型腔 寄生电容 涡流效应 分路阻抗 neutron source bunch chopper scaled model parasitic capacitance eddy current effect shunt impe-dance
