为了仿真光刻中接触孔掩模的衍射, 建立了严格的三维(3D)掩模模型。采用法向矢量法(NV)改善了接触孔掩模耦合波方程的收敛性。利用S矩阵求解线性方程组避免了数值不稳定问题。对于双吸收层衰减相移接触孔掩模, 当有效的截断级次达到1225级以上时, (0, 0)级次能得到更好的收敛结果。当有效的截断级次分别为1225级, 1369级, 1521级及1681级时, 衍射效率分别为23.64%, 23.67%, 23.63%及23.66%。利用建立的模型, 研究了偏振态随着掩模、入射光参数的变化关系。当线宽小于25nm时, 掩模主要透过TM偏振光。
物理光学 光刻 法向矢量 散射矩阵 严格耦合波法 接触孔 physical optics lithography normal vector scattering-matrix approach RCWA contact hole
