1 中国工程物理研究院 研究生院, 北京 100088
2 北京应用物理与计算数学研究所, 北京 100094
基于粒子云网格的计算方法, 建立了具有外电路的加速系统模型, 模拟了氘离子束轰击靶面产生二次电子的过程, 动态地分析了二次电子的产生对离子加速电压的影响以及对氘离子束束流品质和氘离子束轰击靶面能量的影响。结果表明, 当有0.06 A的二次电子电流产生时, 离子加速电压将会下降45%, 从而导致氘离子束束流品质下降, 参与氘氚反应的氘离子数减少, 相应的氘离子束轰击靶面的能量下降43.8%。
粒子云网格 外电路模型 紧凑型中子管 氘离子束 二次电子 particle-in-cell external circuit model compact neutron tube deuterium ion beams secondary electrons 强激光与粒子束
2018, 30(11): 114005
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室, 吉林 长春 130033
2 中国科学院大学, 北京 100049
为有效评估和预测在极紫外光辐照下，极紫外光刻机中残留的碳氢化合物气体在多层膜光学元件表面造成的碳污染状况，建立了光学元件表面碳沉积的复杂理论模型，描述了残留碳氢化合物在光学表面的传输，在极紫外光子和二次电子激发下引起的分子分解，并在光学表面形成碳沉积层的过程。模型预测结果和实验数据吻合得很好。理论分析表明引起碳氢化合物分解的主要原因是光子分解而不是二次电子分解。碳层的增长依赖于碳氢化合物气体偏压和极紫外光强，具有较轻分子量的碳氢化合物（<～100 amu）对污染的贡献很小。同时当基底温度适度增加时（～30 ℃），能够加速表面碳氢化合物分子的解吸附，可有效减少碳污染。
光学器件 极紫外光刻 碳氢化合物污染模型 多层膜光学元件 二次电子 光学学报
2013, 33(12): 1234001
中国工程物理研究院 流体物理研究所， 四川 绵阳 621900
论述了离子束作用下固体表面次级电子产生的机制，介绍了特种真空器件中次级电子抑制的各种方法及其优缺点，提出了脉冲离子束作用下靶面次级电子抑制的自偏势法和曲面靶法等设计思路，并在实验上进行了初步验证。实验结果表明,自偏势电压大于80 V后，次级电子得到很好的抑制。在相同束流情况下，曲面靶较平面靶的次级电子产额少。利用实验结果进行估算得到了近似的次级电子产额约为0.67，比文献中的结果(0.58)偏大。对实验中自偏势法抑制反峰电子电流的效果进行了分析和讨论，结果表明：自偏势法不但能够有效抑制离子打靶产生的次级电子，还能抑制由功率源不稳定带来的入射反峰电子流。
脉冲离子束 次级电子 自偏势 抑制 曲面 pulsed ion beam secondary electrons self-bias suppressing curved surface
