厦门大学 物理与机电工程学院， 福建 厦门 361005
文章介绍了AZO/N+ Si欧姆接触特性的研究和AZO/N+ Si欧姆接触的制备新方法。实验发现AZO/N+ Si的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响，在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32×10-4Ω·cm2。它满足多晶硅太阳能电池的要求, 可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
多晶硅片 比接触电阻 polycrystalline silicon AZO AZO specific contact resistanc
