1 湖南工学院 电气与信息工程学院, 湖南 衡阳 421002
2 湖南工学院 信号与信息处理重点实验室, 湖南 衡阳 421002
从理论上详细研究了一维亚波长金属光栅的凹槽深度对太赫兹伪表面等离子的影响。分别对一维标准亚波长金属光栅和缺陷亚波长金属光栅进行了研究。电场分布情况采用了COMSOL软件进行模拟。得到的结论是: 对于一维标准亚波长金属光栅, 沿金属光栅传播的表面等离子体取决于槽深度, 较深的槽具有更强的束缚能力; 对于具有缺陷的光栅结构, 电场强度的分布特点取决于缺陷槽的深度, 这归功于缺陷槽对光的反射和散射。基于这一理论研究, 这两种不同的亚波长金属光栅结构能为太赫兹器件如波导、衰减器及滤波器发展提供新的途征。
凹槽深度 伪表面等离子体 电场分布 groove depth spoof SPPs electric field distribution 红外与激光工程
2017, 46(8): 0825003
