北京工业大学 激光工程研究院, 北京 100124
板条放大器中寄生振荡的存在严重影响了激光放大器的效率, 降低了板条晶体的储能。为抑制掠入射板条寄生振荡、提高晶体储能, 对掠入射板条放大器的增益介质Nd:YVO4晶体进行了表面处理。该处理用离子溅射的方法, 对板条的上下两个梯形面和梯形长边所在的矩形面镀锗, 抑制板条内部的寄生振荡。通过实验对镀锗和未镀锗板条振荡器的自由振荡输出和调Q输出特性进行了对比, 镀锗板条振荡器在调Q下的阈值电流降低了15%, 晶体的储能提高了86.9%; 而两种板条在调Q条件下输出的光束质量、脉宽大小、光斑形状基本一致。实验结果表明, 板条表面镀锗是抑制其内部寄生振荡、提高储能的有效方法。
储能 板条结构 镀锗 寄生振荡 stored energy slab structure plating germanium parasitic oscillation 红外与激光工程
2017, 46(2): 0205003
电子科技大学电子工程学院， 四川 成都 610054
天线的近场分析在近场通信 (NFC)、电磁兼容 (EMC)、阵列天线设计等领域越来越受到关注。准确高效的近场分析方法对于近场的分布控制和引导机制等有着重要的作用。本文针对典型天线磁偶极子 (电小线圈 )的近场进行了初步的理论研究，主要分析了磁偶极子的近场平均能量密度分布、有功功率和无功功率的关系和分布。并通过磁偶极子的场分量计算平均坡印廷矢量，从而定性分析了线圈“储能”和“辐射能量”的关系，同时根据平均坡印廷矢量给出了电小线圈的近场“储能”中能量流动的物理图像。本文还计算了磁偶极子的平均电场能量密度和平均磁场能量密度，并进一步分析了二者的分布以及比较了二者的大小关系。
电小线圈 近场 有功功率 无功功率 平均坡印廷矢量 储能 electricallysmall loop nearfield activepower reactive power average Poyntingvector stored energy 太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(4): 567
华中光电技术研究所—武汉光电国家实验室, 湖北 武汉 430223
分析了大功率脉冲激光电源中IGBT模块所需驱动电路的基本要求,设计了一种IGBT驱动电路,并采用反激变换器作为其供电电源的解决方案.讨论了不连续导电模式情形下具有缓冲电路的反激变压器储能转换率的计算,由此确定了反激变压器和缓冲电路的核心参数.以单片开关电源VIPer22ADIP为关键器件,设计了输出为18V/5W的稳压型反激变换器,从而为实现全开关化的脉冲激光电源提供了可能.
IGBT驱动电路 反激变换器 不连续导电模式 缓冲电路 反激变压器储能转换率 激光电源 driver circuit for IGBT flyback converter discontinued conduction mode snubber circuit conversion efficiency of stored-energy in flyback laser power-supply
通过MATLAB编程,实现了储能切换(stored energy switch)方式产生高功率微波脉冲瞬态响应过程的模拟.程序可用于研究微波压缩系统的功率增益、储能转换效率及脉宽压缩比等主要指标与系统开关耦合腔的固有品质因数、输入与输出耦合系数的关系;并可用于对工作频率失谐、"开关"导通前的泄漏及"开关"启动时间的影响等进行分析,输出瞬态响应过程图像.
储能切换(SES) 微波脉冲压缩 瞬态响应 Stored energy switch （SES） Microwave pulse Instantaneous response MATLAB MATLAB
中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
采用理论模拟和实验研究相结合的方法,研究了高功率激光片状放大器中的自发辐射放大(ASE)效应.建立了一套较完整的包含空间和时间的3维ASE模型,分析了不同电压、不同储能分布和不同泵浦时刻、不同增益长度积条件下ASE效应对放大器储能效率和小信号增益系数的影响.对4×2×3组合式放大器的计算结果表明:随着泵浦电压升高,ASE效应明显加强;23kV泵浦电压下,ASE效应造成的平均储能下降21.0%,小信号增益系数损耗为16.62%,增益不均匀性为7.44%;增益长度积可以作为判断ASE效应的依据,其值越大,ASE效应越强.
钕玻璃 片状放大器 自发辐射放大 储能密度 Nd:glass Slab amplifiers Amplified spontaneous emission Stored energy density
1 上海大学材料科学与工程学院,上海,200072
2 山东大学晶体材料研究所,济南,250100
利用纳米GaP固体材料拉曼光谱的类横向光学模峰移(ΔωTO)对其均方根键角畸变(Δθ)和平均键畸变能(Uθ)进行了计算.计算结果表明:当成型压力增加时,纳米GaP固体材料的Δθ和Uθ均增加;而将纳米GaP固体材料在325℃进行1h热处理后,其Δθ和Uθ并没有明显的变化.
纳米 拉曼光谱 均方根键角畸变 平均键畸变能 Nano-material GaP Gallium Phosphide Raman Spectra Root mean square bond angle distribution Mean stored energy
四川大学激光物理与化学研究所, 成都 610064
考虑了从电容器储能到激光介质储能的多个能量转换环节,引入时间因子和三维空间放大自发辐射,对多段阵列式放大器(MSA)性能作了详细的计算模拟,包括多段阵列式放大器的中间和边缘闪光灯阵列间的泵浦平衡、储能、增益系数和增益分布等重要激光参数随时间的变化,用利弗莫尔实验室的实验参数对本文的程序进行了校核,并演示了该程序的预估能力。
多段阵列式放大器 增益分布 储能
